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利用分子动力学方法模拟计算了单晶铜中纳米孔洞在沿〈111〉晶向冲击加载下增长的早期过程.测量发现不同加载强度下等效孔洞半径随时间近似成线性变化.观测到单孔洞增长的两种位错生长机理:加载强度较低时,只在沿着冲击加载方向的孔洞顶点附近区域有位错的成核和运动;而随着加载强度超过一定阈值,在沿冲击加载和其垂直方向的孔洞顶点区域都观察到位错的成核和运动.在前一种机理作用下,孔洞只沿加载方向增长;在后一种机理作用下,孔洞同时沿加载和垂直于加载方向增长.分析孔洞表面原子的位移历史,发现沿加载及与其垂直方向的孔洞顶点沿径向的速度基本恒定,由此提出了一个孔洞生长模型,可以解释孔洞增长的线性生长规律.
关键词:
纳米孔洞
分子动力学
冲击加载
位错 相似文献
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根据生产任务选择加工设备进行制造资源重组是实现可重构制造系统的关键问题之一,由于设备的选择涉及到多种因素,既有定量指标,又有定性指标,传统的依靠人工经验的方法显得力不从心。本文首先结合实际情况,提出了一套设备选择评价体系,通过对模糊判断矩阵采用最小对数二乘法确定各评价因素的权重系数,针对定性指标和定量指标采用不同的方法确定其性能指标值,通过模糊积分对评判指标进行综合评判,最后进行了实例研究。所提出的方法有效地简化了决策过程,为可重构制造系统设备选择提供了一套行之有效的方法。 相似文献
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NA序列部分和的矩完全收敛性 总被引:4,自引:0,他引:4
讨论了NA序列部分和的矩完全收敛性,在一定条件下获得了NA序列矩完全收敛的充要条件,显示了矩完全收敛和矩条件之间的关系,将独立同分布随机变量序列矩完全收敛的结果推广到NA序列,得到了与独立随机变量序列情形类似的结果. 相似文献
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In this paper, by using qualitative analysis, we investigate the number of limit cycles of perturbed cubic Hamiltonian system with perturbation in the form of (2n+2m) or (2n+2m+1)th degree polynomials . We show that the perturbed systems has at most (n+m) limit cycles, and has at most n limit cycles if m=1. If m=1, n=1 and m=1, n=2, the general conditions for the number of existing limit cycles and the stability of the limit cycles will be established, respectively. Such conditions depend on the coefficients of the perturbed terms. In order to illustrate our results, two numerical examples on the location and stability of the limit cycles are given. 相似文献
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纵观今年全国及各省市高考命制的试题中,与物理相关的7套理科综合试卷和3套单科试卷,发现在课改理念指导下,具有许多共同特点,集中体现了注重基础知识、注重过程方法、重视五种能力考查等特点.《物理通报》从第6期开始,对每套物理试题的评析文章已作了详细讨论.本文则面向各套试题中的物理实验试题,进行横向系统分析,试图从总体上勾画出2006年高考命题在物理实验内容方面的基本思路,以期引起广大物理教师对此思考和研究. 相似文献
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铝互连线的电迁移问题历来是微电子产业的研究热点,其面临的电迁移可靠性挑战也是芯片制造业最持久和最重要的挑战之一.从20世纪90年代开始,超深亚微米(特征尺寸≤0.18 μm)铝互连技术面临了更加复杂的电迁移可靠性问题.从电迁移理论出发,分析概括了铝互连电迁移问题的研究方法,总结了上世纪至今关于铝互连电迁移问题的主要经验;最后结合已知的结论和目前芯片制造业现状,分析了当前超深亚微米铝互连线电迁移可靠性挑战的原因和表现形式,提出了解决这些问题的总方向.
关键词:
电迁移
铝互连
微结构 相似文献
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